二维过渡金属二硫族化合物的范德华接触

二维过渡金属二硫族化合物的范德华接触

        二维（2D）过渡金属二硫族化合物（TMDs）由于其原子薄的结构和没有悬空键的表面，已成为下一代电子产品的极具前景的候选者。然而，与TMDs建立高质量的金属接触是一个关键的挑战，主要归因于它们的超薄体和精细晶格。当实施涉及“高能”工艺的传统金属化方法时，这些独特的特性使它们容易受到物理损伤和化学反应的影响。为了应对这一挑战，范德华（vdW）触点的概念最近被提出作为一种“低能耗”的替代方案。在vdW几何结构中，金属触点可以物理层压或轻轻沉积在TMDs的2D通道上，确保形成原子清洁和电子尖锐的接触界面，同时保持2D TMDs的固有特性。因此，大量的vdW接触器件已经被广泛研究，揭示了前所未有的传输物理或以前无法实现的异常器件性能。这篇综述介绍了TMD晶体管的vdW接触的最新进展，讨论了与每种器件几何形状相关的优点、局限性和前景。通过这样做，我们的目的是全面了解当前的研究形势，并深入了解这个快速发展的领域的未来方向。

文章链接：https://pubs.acs.org/doi/abs/10.1021/acs.chemrev.3c00697